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2020-08-26
熱釋電系數(shù)可用靜態(tài)法、動(dòng)態(tài)法和積分電荷法測(cè)試，其中積分電荷法得到廣泛應(yīng)用。圖4.5-32為積分電荷法測(cè)試原理圖(GB/T3389.8-1986)。該方法通過(guò)測(cè)量在電容器上積累的熱釋電電荷，測(cè)定剩余極化隨溫度的變化。使用靜電計(jì)測(cè)得積分電容兩端電壓，輸出至函數(shù)記錄儀Y端，由于積分電容值遠(yuǎn)大于試樣電容值，其兩端的電壓變化正比于試樣剩余極化的變化。同時(shí)，用X端記錄試樣溫度變化，可得到熱釋電電荷Q隨溫度T變化的曲線，微分該曲線，就可得到熱釋電系數(shù)測(cè)試設(shè)備的加熱油槽由銅制成，外殼接地以屏...2020-08-25
在居里溫度Tc處，鐵電壓電材料的許多物理性質(zhì)，如介電常數(shù)、熱容量、線膨脹系數(shù)等都將發(fā)生突變，因此，只要測(cè)定這種突變點(diǎn)對(duì)應(yīng)的溫度就能確定鐵電壓電材料的居里溫度。測(cè)定居里溫度7。的方法很多，有自動(dòng)導(dǎo)納測(cè)量?jī)x法、相變儀測(cè)量法、傳輸線測(cè)量法及電滯回線突變法等。下面介紹自動(dòng)導(dǎo)納測(cè)量?jī)x法。用自動(dòng)導(dǎo)納測(cè)量?jī)x測(cè)量居里溫度時(shí)，在測(cè)量頻率一定的情況下，只要測(cè)量電納隨溫度的變化曲線，就能得到介電常數(shù)隨溫度T的變化曲線，即ε-T曲線，從而找出介電常數(shù)突變點(diǎn)來(lái)確定居里溫度，其測(cè)量原理圖如圖4.5-31...2020-08-25
測(cè)量鐵電材料電滯回線的方法通常有兩種：沖擊檢流計(jì)描點(diǎn)法和Sawyer-Tower電路法。第二種方法可用超低頻示波器進(jìn)行觀察以及用xy函數(shù)記錄儀進(jìn)行記錄，簡(jiǎn)便迅速，故人們常常采用。采用Sawyer-Tower電路準(zhǔn)靜態(tài)測(cè)試鐵電陶瓷材料電滯回線的測(cè)量原理圖（GB/T6426-1999）如圖4.5-30所示，系統(tǒng)絕緣電阻不小于108Ω，超低頻高壓源輸出電壓峰值為0~5KV、頻率為0.1Hz的正弦波。運(yùn)算放大器輸入阻抗不小于109Ω。標(biāo)準(zhǔn)電容器Co的直流電阻不小于109Ω，一般容量為...2020-08-24
一、主要特點(diǎn):1、能根據(jù)薄膜的使用寬度進(jìn)行電弱點(diǎn)的測(cè)試，測(cè)試寬度可根據(jù)用戶的要求而設(shè)定，無(wú)須將膜分切成小卷，免除了許多外來(lái)因素對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響。2、測(cè)試數(shù)據(jù)能真實(shí)地反映薄膜的質(zhì)量水平。3、主要元器件均選用品牌(如歐姆龍，美信，ABB等)，有效地保證了設(shè)備的可靠性、耐用性和穩(wěn)定性。4、測(cè)量，復(fù)現(xiàn)性好。5、測(cè)試過(guò)程采用電子技術(shù)全自動(dòng)控制，遇到電弱點(diǎn)時(shí)電壓切斷動(dòng)作迅速。6、擊穿電流在0～40mA連續(xù)可調(diào)，復(fù)現(xiàn)性好。7、多重保護(hù)功能，充分考慮了操作人員及設(shè)備的安全性。8、過(guò)壓、過(guò)流、...2020-08-24
據(jù)標(biāo)準(zhǔn)《GB/T13541-92電氣用塑料薄膜試驗(yàn)方法》，電氣用塑料薄膜要求進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試，在給定直流電壓下每平方米的擊穿點(diǎn)(電弱點(diǎn))數(shù)成為衡量薄膜成量的重要指標(biāo)，那如何進(jìn)行測(cè)試呢？此時(shí)就用到了電弱點(diǎn)測(cè)試儀。電氣用塑料薄膜電弱點(diǎn)測(cè)試儀，無(wú)須將膜卷分切成小卷，根據(jù)薄膜的使用寬度直接進(jìn)行電弱點(diǎn)測(cè)試。由于薄膜在生過(guò)程中極易引起縱向劃傷，該儀器*引用“電弱線”概念，即在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)檢測(cè)到的試樣漏電流均超過(guò)1mA時(shí)，認(rèn)定為該薄膜試樣在生產(chǎn)過(guò)程中存在縱向劃痕，從而產(chǎn)生“電弱線”，測(cè)試儀統(tǒng)...2020-08-21
在光電子學(xué)及其它高技術(shù)的發(fā)展中，薄膜材料占有重要的地位。鐵電薄膜具有電光效應(yīng)、非線性光學(xué)效應(yīng)、壓電效應(yīng)和熱釋電效應(yīng)等多種特性，又具有便于平面化和集成化的特點(diǎn)，因而特別受到人們的重視。現(xiàn)在廣為研究的鐵電薄膜是PbTiO3(PT)、Pb1-xLaTi1-x/4O3(PLT)、PZT、PLZT、LiNbO3、Bi4Ti3O12和BaTiO3。制備方法有電子束蒸鍍、離子束濺射、射頻磁控濺射、射頻二極濺射、金屬有機(jī)化學(xué)氣相淀積和金屬有機(jī)熱分解法等。為了充分發(fā)掘鐵電薄膜的功能，希望薄膜是...2020-08-20
臨界負(fù)溫?zé)崦舨牧弦訴O2為基本成分的多晶半導(dǎo)體材料，在68℃附近電阻值發(fā)生突變，在狹小的溫區(qū)內(nèi)，電阻值隨溫度的增加而降低3~4個(gè)數(shù)量級(jí)，具有很大的負(fù)溫度系數(shù)。阻值突變的溫度稱為臨界溫度Tc，不同的材料其臨界溫度Tc不同，如V2O3的臨界溫度為-100℃，F(xiàn)e304為-150℃，VO2為68℃，Ti305為175℃，V305為140℃。Tc可以通過(guò)摻入適當(dāng)?shù)碾s質(zhì)提高或降低，如在V305中摻入Ge可將其TC降到100~140℃之間，摻入2%的Ge，可使Tc降到120℃左右。在臨界...
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